ＮＥレポート〜ＳｉＣトランジスタの増幅率　京都大学が２００超を達成
日経エレクトロニクス　第1058号　2011.6.13

試作したＢＪＴの電流増幅率（図：京都大学の資料を基に本誌が作成　京都大学の研究グループは、室温時の電流増幅率が２５７と３３５のＳｉＣ製ＢＪＴ（ｂｉｐｏｌａｒ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を試作した注１）。これまで業界最高とされてきた、本田技術研究所らの電流増幅率１３０台のＢＪＴを大きく上回る。　ＢＪＴは、他のトランジスタと比較してオン抵抗が小さいという利点がある。だが、電流制御型のため…