ＮＥレポート〜ＳｉＣに迫るＧａＮパワー素子　トランジスタで耐圧１ｋＶ超
日経エレクトロニクス　第1056号　2011.5.16

　現行のＳｉに続く、パワー半導体素子（以下、パワー素子）の次世代材料として注目を集めるＳｉＣとＧａＮ。いずれも製品化が始まっており、耐圧６００Ｖ以上はＳｉＣ、６００Ｖ以下はＧａＮとされている。だが、この“常識”が覆される可能性が高まった。国内のベンチャー企業であるパウデックが、耐圧１．１ｋＶで、かつ低コストで製造できるというＧａＮ系パワー・トランジスタの試作に成功したからである（図１）。これで、白…