寄稿〜ストレージ・クラス・メモリ 機器のボトルネック解消を狙う
日経エレクトロニクス 第1049号 2011.2.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1049号（2011.2.7） |
|---|---|
| ページ数 | 13ページ （全14140字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2898kb） |
| 雑誌掲載位置 | 77〜89ページ目 |
竹内 健東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 工学部電気電子工学科 准教授多くの電子機器への搭載が進むＮＡＮＤフラッシュ・メモリ。ここに来て，微細化や多値化に伴う書き込み速度の低下や信頼性の劣化といった課題が深刻化してきた。こうした問題を解決するために，「ストレージ・クラス・メモリ（ＳＣＭ）」と呼ぶ新しいメモリ技術に注目が集まっている。ここではＳＣＭを用いたＳＳＤの高速化や低消費電力化の手…
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