特集 半導体ストレージ 迫る主役交代〜第２部＜技術動向＞ 先行する３次元ＮＡＮＤを
日経エレクトロニクス 第1049号 2011.2.7
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1049号（2011.2.7） |
|---|---|
| ページ数 | 12ページ （全13306字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （3107kb） |
| 雑誌掲載位置 | 48〜59ページ目 |
半導体ストレージの主役を担うＮＡＮＤフラッシュ・メモリに，技術的な限界が迫っている。この克服に向けたメモリ・セルの３次元化が，２０１３年にも始まりそうだ。開発で先行する３次元ＮＡＮＤフラッシュ・メモリを，抵抗変化型メモリ（ＲｅＲＡＭ）などが追う。 次世代の半導体ストレージに向けた，新しい不揮発性メモリの開発が加速している。メモリ・セルを３次元化する３次元ＮＡＮＤフラッシュ・メモリのほか，動作原理を…
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