解説1〜メモリ,ロジック,3次元ICで 世界初や世界記録に沸く
日経エレクトロニクス 第1047号 2011.1.10
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1047号(2011.1.10) |
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ページ数 | 9ページ (全10222字) |
形式 | PDFファイル形式 (4648kb) |
雑誌掲載位置 | 63〜71ページ目 |
半導体技術の開発現場が活況を取り戻しつつある。2010年12月上旬に米国サンフランシスコで開催された「IEDM 2010」では,メモリやロジック,3次元ICなどの分野で,世界初の試みや,集積度や動作速度などで世界記録を達成した技術に注目が集まった。 「Si CMOS技術は10nm世代よりも先に延長できる。3次元積層技術やEUV露光技術などの新構造・新材料・新プロセスをきちんと導入できれば,Si C…
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