キーワード〜ＳｉＣ（炭化ケイ素）
日経エレクトロニクス 第1041号 2010.10.18
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1041号（2010.10.18） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1021字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （363kb） |
| 雑誌掲載位置 | 122ページ目 |
ＳｉとＣから成る化合物半導体の一種である。金型や超硬工具などのほか，電子デバイスとしてはＬＥＤや無線通信で用いる高周波素子の基板に利用される。最近では，パワーＭＯＳＦＥＴやＳＢＤといったパワー素子の材料として注目を集めている。現行材料のＳｉと比較して優れた特性を持つためだ。こうした特性が，インバータやコンバータにおける電力損失の大幅な削減や，小型化につながる。 例えば，インバータのダイオードをＳ…
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