論文〜 LSIの微細化を阻む,ランダムばらつき問題の現状
日経エレクトロニクス 第1028号 2010.4.19
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1028号(2010.4.19) |
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ページ数 | 7ページ (全7165字) |
形式 | PDFファイル形式 (1394kb) |
雑誌掲載位置 | 87〜93ページ目 |
竹内 潔ルネサス エレクトロニクス 先行研究統括部・主幹研究員MIRAI−Selete論理LSIは,間もなく32nm世代の本格的な量産を迎える。今後,その微細化を阻むのが,MOSトランジスタのしきい値電圧などがランダムにばらつく現象である。不純物ばらつきやランダム・テレグラフ・ノイズと呼ばれるランダムばらつきの解析で世界的に有名な竹内氏に,最新の知見を紹介してもらう。(本誌)ランダムばらつきがLS…
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