クローズアップ　半導体〜ＳｉＣの国家プロジェクトが本格始動，大口径ウエハーや高耐圧ＩＧＢＴなどを対象に
日経エレクトロニクス　第1027号　2010.4.5

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第1027号（2010.4.5）
ページ数	1ページ　（全888字）
形式	PDFファイル形式　（274kb）
雑誌掲載位置	23ページ目

　「ＳｉＣでは日本に勝機がある。ウエハーとデバイスの開発で欧米勢をしのぎ，システム技術でも先行できる体制をつくりたい」（産業技術総合研究所（産総研）　エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ　ラボ長の奥村元氏）。　次世代パワー半導体のＳｉＣで日本が主導権を握ることを目指し，複数の国家プロジェクトが始動する。経済産業省が主導する「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」や，内閣府が主導す…