ＮＥレポート〜ＩＢＭ，量産に向くプロセスでｆＴ１００ＧＨｚのグラフェンＦＥＴ試作
日経エレクトロニクス 第1025号 2010.3.8
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1025号（2010.3.8） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1022字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （283kb） |
| 雑誌掲載位置 | 15ページ目 |
米ＩＢＭ Ｃｏｒｐ．は，遮断周波数（ｆＴ）が１００ＧＨｚのグラフェンＦＥＴを開発した。これにより，将来的には動作周波数がＴＨｚ級のＦＥＴが実現する可能性が高まってきた。 グラフェンは，炭素原子が６角形の網目状につながったシート状の材料。キャリア移動度を１万ｃｍ２／Ｖｓ以上にできるとされ，トランジスタのチャネル層やＬＳＩの配線に用いようとする研究開発が盛んに進められている。 今回の素子のポイントは…
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