解説１ ＩＥＤＭ ２００９詳報〜量産始まる３２ｎｍＳｏＣ技術 ０．５Ｖ動作ＳＲＡＭなどに注目
日経エレクトロニクス 第1021号 2010.1.11
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1021号（2010.1.11） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全9913字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （1503kb） |
| 雑誌掲載位置 | 61〜68ページ目 |
半導体製造技術の国際会議「ＩＥＤＭ ２００９」が，２００９年１２月上旬に米国ボルティモアで開催された。注目を集めたのは，２００９年末以降量産が本格化しつつある３２ｎｍ／２８ｎｍ世代の半導体製造技術である。Ｉｎｔｅｌ社やＩＢＭ連合の一挙手一投足に，会場を埋め尽くした技術者はくぎ付けになった。さらなる微細化については今回，１６ｎｍ世代の実現が見えた。０．５Ｖ動作の混載ＳＲＡＭを筆頭に，低消費電力化技術…
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