ＮＥレポート〜３Ｇ端末用ＣＭＯＳパワー・アンプ，ＧａＡｓ品と性能で肩を並べる
日経エレクトロニクス　第1015号　2009.10.19

　半導体設計のベンチャー企業である米Ｂｌａｃｋ　Ｓａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．は，第３世代携帯電話（３Ｇ）の端末向けパワー・アンプをＣＭＯＳ技術で開発した。電力付加効率（ＰＡＥ）は，送信出力２７．８ｄＢｍ（約６００ｍＷ）の場合に４１．７％と高い。出力特性の線形性の指標である隣接チャネル漏洩電力比（ＡＣＬＲ）は同じ送信出力２７．８ｄＢｍの場合に−４０．０ｄＢｃと，こちらも優れた特性を示…