NEレポート〜積層チップ間接続の新技術が登場,Si基板で伝送し低コスト化
日経エレクトロニクス 第1014号 2009.10.5
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1014号(2009.10.5) |
---|---|
ページ数 | 2ページ (全2170字) |
形式 | PDFファイル形式 (409kb) |
雑誌掲載位置 | 14〜15ページ目 |
3次元に積層したLSIチップ間を接続するための新たな信号伝送技術が登場した(表1)。薄型化したSi基板そのものを伝送媒体として使う技術で,国内ベンチャー企業のソーバスメモリが開発した注1)。既存の半導体プロセスでほぼ実現できるため,Si基板に穴を開けて電極を埋め込むTSV(through silicon via)技術などに比べて低コストで3次元実装が可能になるという。民生機器向けSiP(syst…
記事の購入(ダウンロード)
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円(税込)
他のIDで購入する
G-Search ミッケ!は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ(全2170字)」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
(注)特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。