キーワード〜ＧａＮ（窒化ガリウム）
日経エレクトロニクス 第1010号 2009.8.10
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第1010号（2009.8.10） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1100字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （157kb） |
| 雑誌掲載位置 | 114ページ目 |
２００９年７月，住友電気工業は純緑色光を出力できる半導体レーザを発表した。パルス駆動ながら直接，波長５３１ｎｍのレーザ光を発振できる。既に実用化済みの赤色，青色に緑色が加わり，変換なしの半導体レーザによる高効率プロジェクターなどの実現が近づいた。 今回の緑色半導体レーザでは，活性層にＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体を採用している。ＧａＮといえば，青色ＬＥＤや青紫色半導体レーザ向けとして知られた材料…
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