新製品〜Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ
日経エレクトロニクス 第991号 2008.11.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第991号（2008.11.17） |
|---|---|
| ページ数 | 3ページ （全4830字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （279kb） |
| 雑誌掲載位置 | 156〜158ページ目 |
集積回路５１２Ｍ〜６４Ｇビット４３ｎｍ世代で製造２値ＮＡＮＤフラッシュ・メモリ 東芝は，４３ｎｍ世代のプロセスで製造する２値技術を用いたＮＡＮＤフラッシュ・メモリ１６品種を製品化し，２００９年第１四半期（１〜３月）から順次量産を開始する。各品種の容量は５１２Ｍ〜６４Ｇビット。４３ｎｍ世代のプロセス技術や素子当たりのデータ保存量を高める技術の採用などによって，１チップ当たりの容量を５６ｎｍ世代の２値…
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