解説〜３２ｎｍ世代の論理ＬＳＩやセル積層フラッシュに注目
日経エレクトロニクス 第970号 2008.1.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第970号（2008.1.28） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全11127字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2189kb） |
| 雑誌掲載位置 | 115〜122ページ目 |
論理ＬＳＩやメモリなど機器を支える先端半導体の進化はまだまだ止まらない。２００７年１２月に米国ワシントンＤ．Ｃ．で開催された半導体製造技術の国際会議「２００７ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ（ＩＥＤＭ）」では，論理ＬＳＩの微細化技術や消費電力削減技術，メモリの高密度化技術が注目を集めた。中でも話題をさらったのは，３２ｎｍ世代の論理ＬＳＩ向け製造技術や，…
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