解説〜大容量フラッシュ開発加速，６４Ｇ技術や新セル積層法
日経エレクトロニクス 第955号 2007.7.2
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第955号（2007.7.2） |
|---|---|
| ページ数 | 5ページ （全6068字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （2784kb） |
| 雑誌掲載位置 | 103〜107ページ目 |
ＮＡＮＤフラッシュ・メモリの大容量化，低コスト化はまだまだ続く。２００７年６月１２〜１６日に京都で開催された半導体技術の国際会議「２００７ Ｓｙｍｐｏｓｉａ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／Ｃｉｒｃｕｉｔｓ（ＶＬＳＩシンポジウム）」では，ＮＡＮＤフラッシュ・メモリの開発が加速している姿が如実に現れた。６４Ｇビット品の実現に向けた技術の詳細が初めて明らかになったほか，これまでささやかれていた１…
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