Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜スピン注入ＭＲＡＭが進展　日立らが２Ｍビット品試作
日経エレクトロニクス　第946号　2007.2.26

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第946号（2007.2.26）
ページ数	2ページ　（全2673字）
形式	PDFファイル形式　（244kb）
雑誌掲載位置	34〜35ページ目

夢よもう一度　ＤＲＡＭ並みの高速性を備え，書き換え回数が無制限，しかも電源を切っても情報が消えない。機器設計者が長年待ち望んできた「不揮発性の主記憶」の実現に道を開く技術を日立製作所らが開発した。同社は，スピン注入磁化反転と呼ぶ新たな動作方式に基づくＭＲＡＭの２Ｍビット・チップを東北大学電気通信研究所と共同で試作し，米国で開催された「ＩＳＳＣＣ　２００７」で概要を発表した（図１）。　試作チップにお…