特集 半導体・新進化論〜 ４５ｎｍ世代の論理ＬＳＩ技術を確立 遅延時間を３０％以上短縮
日経エレクトロニクス 第943号 2007.1.15
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第943号（2007.1.15） |
|---|---|
| ページ数 | 6ページ （全9314字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （529kb） |
| 雑誌掲載位置 | 91〜96ページ目 |
岩井 正明松岡 史倫東芝 セミコンダクター社 システムＬＳＩ第一事業部システムＬＳＩデバイス技術開発部齋藤 正樹長島 直樹ソニー 半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門池田 昌弘桑田 孝明ＮＥＣエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部これまでＬＳＩは，微細化によって集積度を高めて製造コストを削減するととともに，ゲート絶縁膜を薄くするなどして特性向上を果たしてきた。しかし４５ｎｍ世代になっ…
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