Ｌｅａｄｉｎｇ Ｔｒｅｎｄｓ〜ＬＳＩのバラつきを制する 混載ＳＲＡＭで提案続々
日経エレクトロニクス 第930号 2006.7.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第930号（2006.7.17） |
|---|---|
| ページ数 | 8ページ （全10812字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （567kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55〜62ページ目 |
半導体製造／設計技術関連の国際会議「２００６ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」が２００６年６月１３〜１７日に米国ホノルルで開催された。話題の中心は，ＬＳＩの特性バラつき問題に向けた製造／設計技術だった（図１）。同一チップ内の異なるトランジスタの間でしきい値電圧（Ｖｔｈ）がランダムにバラつく現象が，最先端の微細加工技術を扱う半導体メーカーにとって一大問題…
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