What’s New〜波長210nmの紫外LED 「絶縁体」のAlNで実現
日経エレクトロニクス 第928号 2006.6.19
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第928号(2006.6.19) |
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ページ数 | 2ページ (全3128字) |
形式 | PDFファイル形式 (234kb) |
雑誌掲載位置 | 30〜31ページ目 |
NTT物性科学基礎研究所は,AlN(窒化アルミニウム)結晶を半導体として用いた発光ダイオード(LED)を作製し,波長210nmと短波長での発光を確認した(図1)1)。発光出力は0.02μW,外部量子効率は10−6%と小さく,LEDとしての実用化には「少なくとも6ケタ足りない」(同研究所 機能物質科学研究部 薄膜材料研究グループの谷保芳孝氏)。それでも今後,結晶欠陥の低減などで出力や効率を大幅に高…
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