Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ パワー半導体モジュール〜ＩＧＢＴと逆導通用ダイオードを集積
日経エレクトロニクス 第927号 2006.6.5
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第927号（2006.6.5） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全325字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （194kb） |
| 雑誌掲載位置 | 45ページ目 |
パワー半導体モジュール三菱電機 三菱電機は，従来は別チップだったＩＧＢＴと逆導通用ダイオードを１チップに集積したパワー半導体「ＲＣ−ＩＧＢＴ（ｒｅｖｅｒｓｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｉｎｓｕｌａｔｅｄ ｇａｔｅ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）」を制御ＩＣと一緒に搭載したパワー半導体モジュール「ＰＳ２１９６１」を発売する。従来より部品点数が減り，インバータ全体ではコストが下がるという。パッケー…
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