特集 研究開発 物理に還る〜強相関系材料 超高密度メモリを求めて カギは材料と原理の追究
日経エレクトロニクス 第916号 2006.1.2
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第916号（2006.1.2） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全5777字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （424kb） |
| 雑誌掲載位置 | 86〜89ページ目 |
素子の抵抗値を変化させて情報を記録する不揮発性メモリ「ＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）」の開発が，にわかに注目を集めている。２００５年１２月に開催した半導体関連の国際会議「２００５ ＩＥＤＭ」では，韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．や米Ｓｐａｎｓｉｏｎ ＬＬＣが最新の試作例を報告。このほかにも，水面下では国内外の多くの企業がＲｅＲＡＭの開発に着手しているもようだ…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 550円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「4ページ（全5777字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
特集 研究開発 物理に還る〜左手系メタマテリアル 常識を覆す各種部品を実現 ハードルは挿入損失の低減
特集 研究開発 物理に還る〜スピン注入磁化反転 ＭＲＡＭは「究極の高速メモリ」へ 電子をぶつけて磁化を反転
特集 研究開発 物理に還る〜＜研究開発トップ・インタビュー＞ １４社の研究開発トップ 次世代支える技術開発を語る
Ｃａｌｅｎｄａｒ〜Ｃａｌｅｎｄａｒ
Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜太陽電池を板状から球状へ Ｓｉ使用量が１／５に
