特集 研究開発 物理に還る〜スピン注入磁化反転 ＭＲＡＭは「究極の高速メモリ」へ 電子をぶつけて磁化を反転
日経エレクトロニクス 第916号 2006.1.2
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第916号（2006.1.2） |
|---|---|
| ページ数 | 4ページ （全4965字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （361kb） |
| 雑誌掲載位置 | 82〜85ページ目 |
ＳＲＡＭ並みの高速性に，フラッシュ・メモリと同様な不揮発性，そして書き換え回数は無制限−−こうした特性を持つ「究極のメモリ」につながる成果を，２００５年１２月にソニーが発表した。不揮発性を持つ８Ｋビットのメモリ・セル・アレイを試作，書き込み時間２ｎｓを実現した。今後集積度を高めることができれば，設計ルール４５ｎｍ以下でＳＲＡＭや混載ＤＲＡＭを代替できる不揮発性メモリへ進化しそうだ。 ソニーのメモ…
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