Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜「電力密度が従来の約８倍」 東芝がパワーＦＥＴを開発
日経エレクトロニクス 第909号 2005.9.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第909号（2005.9.26） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全494字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （283kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
東芝は，従来に比べて出力を約２倍，電力密度を約８倍に高めたマイクロ波通信機器向けパワーＦＥＴを開発した。１年以内の実用化を目指す。従来のＧａＡｓ系材料の代わりにＧａＮ系材料を用いることにより，６ＧＨｚ帯で「世界最高出力」（同社）の１７４ Ｗを達成した。ＧａＡｓ系材料を使う同社の従来製品は，６ＧＨｚ帯で９０Ｗだった。今回の試作品では出力を向上させた上でパッケージを小型化することで，ゲート幅当たり３…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ（全494字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜Ｓａｍｓｕｎｇ，１６ＧビットＮＡＮＤフラッシュ開発 ５０ｎｍ技術で２００６年後半量産
Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ミューチップの通信距離が７０ｃｍに
Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜三菱電機，「超小型」や「超高速」な暗号を開発
Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜０．１６５ｃｃと小さい指紋認証モジュールをＮＴＴエレが製品化
Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜初の国産ＵＷＢ ｍｉｎｉＰＣＩモジュールをサイレックスが開発
