Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜Ｓａｍｓｕｎｇ，１６ＧビットＮＡＮＤフラッシュ開発 ５０ｎｍ技術で２００６年後半量産
日経エレクトロニクス 第909号 2005.9.26
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第909号（2005.9.26） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全414字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （283kb） |
| 雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社は，メモリ容量が１６ＧビットのＮＡＮＤ型フラッシュ・メモリを開発した。５０ｎｍ世代の半導体製造技術を用いて，２００６年後半に量産を開始する。これまで６年間維持してきた，１年で２倍のメモリ容量増大のペースを同社は２００６年も継続することが濃厚となった。「携帯電話機や携帯型音楽プレーヤなどにおける小型ハード・ディスク装置（ＨＤＤ）のみならず，ノート・パソコ…
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