Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜６５ｎｍ世代を採用，リーク電流は１／９以下
日経エレクトロニクス 第903号 2005.7.4
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第903号（2005.7.4） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全666字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （193kb） |
| 雑誌掲載位置 | 48ページ目 |
米ＩＢＭ社は，６５ｎｍ世代の半導体技術で製造する低消費電力ＡＳＩＣ（セルベースＬＳＩ）「Ｃｕ−６５ＬＰ」を製品化した。携帯電話機をはじめとする携帯機器や民生機器など，電池駆動の機器に向ける。最大で１億２０００万ゲートの論理回路を集積できる。 低消費電力を追求した製品を市場投入するのは，ＩＢＭ社のＡＳＩＣ事業の歴史上，初めてとなる。しかも，量産開始時期は２００７年第１四半期と，同社の６５ｎｍ世代の…
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