Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜 ９０ｎｍ世代のＤＲＡＭ混載 技術をＮＥＣエレが開発
日経エレクトロニクス 第896号 2005.3.28
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第896号（2005.3.28） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全227字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （306kb） |
| 雑誌掲載位置 | 52ページ目 |
ＮＥＣエレクトロニクスは，９０ｎｍ世代のＣＭＯＳ技術を使ったＳｏＣ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ）向けＤＲＡＭ混載技術を開発した。最大の特徴は，キャパシタ絶縁膜にＺｒＯ２を採用したこと。同社は１３０ｎｍ世代のＤＲＡＭ混載技術まではキャパシタ絶縁膜にＴａ２Ｏ５を使ってきた。ＺｒＯ２の採用により，９０ｎｍ世代のメモリ・セル面積は，１３０ｎｍ世代に比べて約６０％に小さくなったとする。既に今回のＤＲ…
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