Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ ゲートとドレイン間の電荷量を３８％削減
日経エレクトロニクス 第891号 2005.1.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第891号（2005.1.17） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全298字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （207kb） |
| 雑誌掲載位置 | 47ページ目 |
米Ｆａｉｒｃｈｉｌｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｒｐ．は，ゲートとドレイン間の電荷量（Ｑｇｄ）を７．５ｎＣと，オン抵抗が同等の従来品と比べて３８％削減したパワーＭＯＳＦＥＴ「ＦＤＳ３５７２」を発売した。ソース−ドレイン間の耐圧は８０Ｖ。スイッチング特性の指標であるオン抵抗とＱｇｄの積は１２０と，高速化できたとする。ネットワーク機器の電源といった，スイッチング周波数が２５０ｋＨｚを超える用途な…
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