Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ 耐圧が５５Ｖでオン抵抗は２．６ｍΩ
日経エレクトロニクス 第891号 2005.1.17
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第891号（2005.1.17） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全286字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （207kb） |
| 雑誌掲載位置 | 47ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．は，耐圧５５Ｖの車載向けパワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ３８０５Ｓ−７Ｐ」のサンプル出荷を開始した。同社従来品の耐圧は４０Ｖだった。ドレイン電流の最大値は１６０Ａである。出力電流を５つのピンに分けて流すことによりパッケージ抵抗を下げ，オン抵抗を＋２５℃で２．６ｍΩと低くした。このほかにオン抵抗が４．９ｍΩの「ＩＲＦ１４０５ＺＳ−７Ｐ」も発売する…
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