Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜耐圧は２０倍 英ＣａｍＳｅｍｉ社が新型ＩＧＢＴを開発
日経エレクトロニクス 第890号 2005.1.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第890号（2005.1.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全435字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （272kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34ページ目 |
英Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＣａｍＳｅｍｉ）社は，素子面積を変えることなく耐圧を２０倍に高められるＩＧＢＴを開発した。２００４年１２月に開催した半導体技術の国際学会「ＩＥＤＭ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｍｅｅｔｉｎｇ） ２００４」で発表した。開発したＩＧＢＴは，ゲートとドレインの間の基板部分をエッチングで取り除いた構造を採る。これにより，…
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