Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ＳｉからＳｉＣに 三菱がパワーＭＯＳＦＥＴを開発
日経エレクトロニクス 第890号 2005.1.3
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第890号（2005.1.3） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全406字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （272kb） |
| 雑誌掲載位置 | 34ページ目 |
三菱電機は，次世代のパワー半導体向け材料であるＳｉＣを使ったＭＯＳＦＥＴを開発した。ゲート電圧が＋１２Ｖ，ドレイン電流が５０Ａ／ｃｍ２のときのオン抵抗は１２．９ｍΩｃｍ２で，現状のＳｉを用いたＩＧＢＴに比べてインバータの電力損失を５０％以上削減できるという。「あと数年くらいで何とか実用化したい」（同社）とした。同社は今回，ＭＯＳチャネル層の膜質を改良するなどしてオン抵抗を低減した。耐圧は１．２ｋ…
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