Ｗｈａｔ’ｓ　Ｎｅｗ〜ｐ型とｎ型の両方に効く　新たなひずみＳｉが実用へ
日経エレクトロニクス　第890号　2005.1.3

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第890号（2005.1.3）
ページ数	1ページ　（全2024字）
形式	PDFファイル形式　（178kb）
雑誌掲載位置	27ページ目

　米ＩＢＭ　Ｃｏｒｐ．と米ＡＭＤ，Ｉｎｃ．は，マイクロプロセサなどの論理回路の動作周波数を約１０％高められる新たな半導体製造技術「ｄｕａｌ　ｓｔｒｅｓｓ　ｌｉｎｅｒ（ＤＳＬ）」を共同開発し，２００４年１２月に開かれた国際学会「Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　２００４」で発表した１）。ＤＳＬは，ＣＭＯＳ型トランジスタのチャネル部分に応力を加えることでキャ…