Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜米ＩＢＭ社，Ｇｅを使ってトランジスタを３倍高速化
日経エレクトロニクス 第889号 2004.12.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第889号（2004.12.20） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全351字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （250kb） |
| 雑誌掲載位置 | 46ページ目 |
米ＩＢＭ社は，Ｇｅ（ゲルマニウム）を使ってトランジスタの動作速度を３倍高める技術を開発した。トランジスタを高速化する技術としてはトランジスタ内で電流が通るチャネル部分のＳｉ（シリコン）層に応力を加えて歪ませることで，同層内でキャリヤの移動度を向上させる「歪みＳｉ」という手法がある。この技術をＧｅに応用して「歪みＧｅ」とすることで，歪みＳｉの場合よりもトランジスタの性能を高めた。しかも，これまで難…
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