Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜アナログＩＣ ０．６μｍルールで耐圧３０Ｖ 産業用ＩＣの製造技術で前進
日経エレクトロニクス 第888号 2004.12.6
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第888号（2004.12.6） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1260字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （332kb） |
| 雑誌掲載位置 | 59ページ目 |
米Ａｎａｌｏｇ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ．は，耐圧が３０Ｖと高く，しかも０．６μｍルールと微細な半導体プロセス技術を開発した。「ｉＣＭＯＳプロセス技術」と呼ぶ。ＭＯＳトランジスタやバイポーラ・トランジスタ，薄膜抵抗，キャパシタなどを集積したアナログＩＣを製造できる。 これまで耐圧が３０Ｖと高いアナログＩＣの製造には１μｍ〜３μｍルールのバイポーラ技術が主に使われてきた。今回のｉＣＭＯＳプロセス技術…
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