Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ パッケージ寸法は１．６×２．４×０．６５ｍｍ３
日経エレクトロニクス 第882号 2004.9.13
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第882号（2004.9.13） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全273字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （96kb） |
| 雑誌掲載位置 | 71ページ目 |
米Ｖｉｓｈａｙ Ｓｉｌｉｃｏｎｉｘ社は，パッケージ寸法が１．６×２．４×０．６５ｍｍ３と小さいパワーＭＯＳＦＥＴ「Ｓｉ８９０１ＥＤＢ／Ｓｉ８９０４ＥＤＢ」を発売した。携帯機器に搭載するＬｉイオン２次電池の保護回路など向け。Ｓｉ８９０１ＥＤＢはｐ型チャネルの品種。オン抵抗は３０ｍΩである。ソース−ドレイン間の電圧は−２０Ｖ。Ｓｉ８９０４ＥＤＢはｎ型チャネルの品種で，オン抵抗は２２．５ｍΩ。ソース−ド…
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