Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ　耐圧４０Ｖで，オン抵抗が低い
日経エレクトロニクス　第882号　2004.9.13

この記事の情報
掲載誌	日経エレクトロニクス　第882号（2004.9.13）
ページ数	1ページ　（全283字）
形式	PDFファイル形式　（96kb）
雑誌掲載位置	70ページ目

米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ　Ｃｏｒｐ．は，通信機器に向けたｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ７８４２」を発売した。耐圧は４０Ｖで，オン抵抗はソース−ゲート間電圧ＶＧＳ＝＋１０Ｖのときに５ｍΩ，ＶＧＳ＝＋４．５Ｖのときに５．９ｍΩと小さい。同社の１次側ＰＷＭ（パルス幅変調）ＩＣと組み合わせたときの効率は１５０Ｗの最大負荷時で９５．２％と高い。ゲート電荷は標準で３３ｎＣである…