Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜貫通電極で小豆大ＤＲＡＭ １Ｇビット品を５ｍｍ角に
日経エレクトロニクス 第880号 2004.8.16
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第880号（2004.8.16） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全1680字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （49kb） |
| 雑誌掲載位置 | 33ページ目 |
エルピーダメモリが携帯電話機用ＤＲＡＭの実装面積を一気に小さくする計画を打ち出した。同社とＮＥＣエレクトロニクス，沖電気工業の３社が共同開発する「Ｓｉ貫通電極」と呼ぶ技術を用いて注１），例えば１２８Ｍビットのチップを８枚積層し，１Ｇビット品をわずか５ｍｍ角に収める。２００６年度内に製品化する。 これは同時期に登場する予定の他社品に比べて１／３〜１／５に相当するサイズだ。しかもチップの最小加工寸法…
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