Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ 線形性を標準１０％向上
日経エレクトロニクス 第878号 2004.7.19
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第878号（2004.7.19） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全291字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （61kb） |
| 雑誌掲載位置 | 56ページ目 |
ドイツＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧは，携帯電話機の基地局や放送設備の送信機向けパワー・アンプなどに向けるパワーＭＯＳＦＥＴ「ＧＯＬＤＭＯＳファミリ」を発売した。ＬＤＭＯＳ（ｌａｔｅｒａｌｌｙ ｄｉｆｆｕｓｅｄ ＭＯＳ）トランジスタを適用し，線形性を従来品に比べて標準１０％高めた。例えば２．１ＧＨｚ帯向けパワー・アンプＩＣ「ＰＴＦＡ２１１００１Ｅ」の場合，ＩＭ３（３次相互変調歪み…
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