Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜激化する次世代メモリ開発 セルの３次元化が焦点
日経エレクトロニクス 第877号 2004.7.5
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第877号（2004.7.5） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3510字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （88kb） |
| 雑誌掲載位置 | 26〜27ページ目 |
対症療法から根治療法へ−−。２００４年６月に米国で開催された国際会議「２００４ Ｓｙｍｐｏｓｉａ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」では，半導体メーカーがＤＲＡＭ，フラッシュＥＥＰＲＯＭ，ＳＲＡＭの抜本的な構造変更に挑む姿勢が鮮明になった。共通するキーワードはセル・トランジスタの３次元化だ（図１）。 これまでセル・トランジスタはＳｉ基板の面内方向に電極やチャネルを…
記事の購入（ダウンロード）
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円（税込）
他のIDで購入する
G-Search ミッケ！は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「2ページ（全3510字）」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
（注）特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。
Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜白色ＬＥＤをめぐる係争 国内で再燃
Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜基板バイアス技術の信頼性 ＮＥＣエレが１０年間確保メド
Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜鏡で化けるプロジェクタ 非球面で厚さ２０ｃｍを切る
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ソフトウエア開発環境 混入したオープンソースの コードを検出するツール
Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜ハード・ディスク装置 １インチ型で５Ｇバイトに到達 振動吸収で携帯プレーヤの音飛びを防ぐ
