Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｓｈｏｒｔｓ〜ルネサスと韓国Ｓａｍｓｕｎｇ社 フラッシュＥＥＰＲＯＭで世界最小を競う
日経エレクトロニクス 第863号 2003.12.22
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第863号（2003.12.22） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全398字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （77kb） |
| 雑誌掲載位置 | 33ページ目 |
日立製作所とルネサス テクノロジは，フラッシュＥＥＰＲＯＭ向けとしては面積が業界最小のメモリ・セルを共同開発した。「ＩＥＤＭ ２００３」で明らかにした内容では，最小加工寸法９０ｎｍを使った場合のメモリ・セル面積は０．０１６μｍ２と小さい。同じくＩＥＤＭ ２００３で韓国Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社が披露した４ＧビットＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭのメモリ・セル面積は，最小加工寸法が７…
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