Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ 電圧３０Ｖ品でオン抵抗が最大２．２ｍΩ スイッチング損失も抑制
日経エレクトロニクス 第856号 2003.9.15
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第856号（2003.9.15） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全867字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （73kb） |
| 雑誌掲載位置 | 53ページ目 |
米Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ Ｃｏｒｐ．は，スイッチング・レギュレータ型のＤＣ−ＤＣコンバータ向けパワーＭＯＳＦＥＴ「ＩＲＦ６６０８」「ＩＲＦ６６１８」のサンプル出荷を開始した。サーバ機のマイクロプロセサ用電源回路モジュールでの利用を想定する。内部抵抗（オン抵抗）を業界最小級に抑えたことで，電力損失を低減できる。ＤＣ−ＤＣコンバータの出力効率を数％程度改善できるという。 現在…
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