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New Products〜SiGeトランジスタ 約半分の価格でGaAs並みの性能を実現
日経エレクトロニクス 第842号 2003.3.3
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第842号(2003.3.3) |
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ページ数 | 1ページ (全210字) |
形式 | PDFファイル形式 (54kb) |
雑誌掲載位置 | 54ページ目 |
東芝は,2GHz動作時の雑音指数が+0.52dBと低いSiGeトランジスタを発売した。無線LANで使うLNAなどに向ける。SiGe材料の微細加工技術を高めたことで,GaAs技術を使ったトランジスタに比べて同等の雑音指数を実現しながら,価格を約半分に抑えた。5.2GHz動作時の雑音指数は+1.16dB。TEL(03)3457−3411サンプル価格は50円サンプル出荷中www.toshiba.co.j…
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