Ｗｈａｔ’ｓ Ｎｅｗ〜１μｍ角の乱数発生回路 暗号処理ＬＳＩへ集積可能に
日経エレクトロニクス 第839号 2003.1.20
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第839号（2003.1.20） |
|---|---|
| ページ数 | 2ページ （全3347字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （49kb） |
| 雑誌掲載位置 | 28〜29ページ目 |
「携帯機器や無線タグなどのセキュリティを高められる」（東芝 研究開発センター ＬＳＩ基盤技術ラボラトリー 主任研究員の藤田忍氏）。東芝は，従来に比べて約１億分の１と実装面積が小さい乱数発生回路を開発した。０．１３μｍのＣＭＯＳ技術を使えば，乱数発生回路の面積を１μｍ×１μｍ以下に小型化できる。回路の消費電力も１ｍＷを大きく下回るもよう。まずは公開鍵暗号方式や共通鍵暗号方式などで，暗号鍵データの生…
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