New Products〜パワーMOSFET 従来比で約43%高速化
日経エレクトロニクス 第838号 2003.1.6
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第838号(2003.1.6) |
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ページ数 | 1ページ (全203字) |
形式 | PDFファイル形式 (57kb) |
雑誌掲載位置 | 46ページ目 |
日立製作所は,ノート・パソコンなどのDC−DCコンバータに向けたパワーMOSFET「HAT2180RP」のサンプル出荷を開始した。スイッチング時間に相当するオン抵抗とゲート−ドレイン電荷量の積は33mΩ・nCと,同社従来品に比べて約43%低減した。実装面積も約17%削減している。TEL(03)5201−51911万個購入時の単価は100円サンプル出荷中www.hitachi.co.jp資料請求番号…
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