Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜パワーＭＯＳＦＥＴ 熱抵抗は同社従来品の半分
日経エレクトロニクス 第827号 2002.7.29
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第827号（2002.7.29） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全231字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （118kb） |
| 雑誌掲載位置 | 55ページ目 |
オランダＲｏｙａｌ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社は，携帯機器向けパワーＭＯＳＦＥＴ「ＰＨ３２３０」を発売した。実装面積（６．２ｍｍ×５．３ ｍｍ）を同社従来品と同一としたまま，熱抵抗を従来品の半分に当たる３℃／Ｗに抑えた。パッケージの背面にヒートシンクを張り付けて放熱性を高めた。日立製作所との共同開発品。日本フィリップスＴＥＬ（０３）３７４０−５８５７サンプル価格は１．９米ドル量産出荷…
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