Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜フラッシュＥＥＰＲＯＭ　書き込み速度１０Ｍバイト／秒の１Ｇビット品
日経エレクトロニクス　第827号　2002.7.29

日立製作所は，１Ｇビットの多値（２ビット／セル）フラッシュＥＥＰＲＯＭ「ＨＮ２９Ｖ１Ｇ９１」を発売した。書き込み速度は１０Ｍバイト／秒と高速。動画像など大容量データの記録向けを狙う。「ホット・エレクトロン書き込み」方式と「４バンク並列書き込み」方式を併用し，高速書き込みを実現している。小型メモリ・カードに向ける。ＴＥＬ（０３）５２０１−５０２１サンプル価格は８０００円２００２年１０月からサンプル出…