Guest Paper〜半導体メモリも 3次元構造へ
日経エレクトロニクス 第820号 2002.4.22
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第820号(2002.4.22) |
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ページ数 | 6ページ (全6703字) |
形式 | PDFファイル形式 (303kb) |
雑誌掲載位置 | 129〜134ページ目 |
Thomas H. LeeFonnder and Director of Advanced Development米Matrix Semiconductor, Inc.「3次元構造」という奇抜なアイデアで製造コストの低減を図った不揮発性メモリが市場に登場する。米Matrix Semiconductor, Inc.が開発した「Matrix 3−D Memory」である。データを1度しか書き込めない追…
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