Ｎｅｗ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜 ０．１５ｎｍルールでアクセス時間４０ｎｓ
日経エレクトロニクス 第817号 2002.3.11
| 掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第817号（2002.3.11） |
|---|---|
| ページ数 | 1ページ （全306字） |
| 形式 | PDFファイル形式 （66kb） |
| 雑誌掲載位置 | 50ページ目 |
東芝は，アクセス時間が４０ｎｓの８ＭビットＳＲＡＭ「ＴＣ５５ＶＢＭ３１６ＡＳＧＮ４０」など８品種を発売した。待機時の消費電流は最大１０ｎＡと低い。主に携帯電話機に向ける。０．１５ｎｍのＣＭＯＳプロセスで製造する。外部電源電圧＋３．３Ｖ，＋２．５Ｖ，＋１．８Ｖに対応する。パッケージは全品種Ｐｂフリーで，外形寸法１２ｍｍ×２０ｍｍ，１２ｍｍ×１４ｍｍのＴＳＯＰや，７ｍｍ×７ｍｍのＦＢＧＡがある。ＴＥＬ…
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