Ｎｅｗ　Ｐｒｏｄｕｃｔｓ〜初めて１Ｔ１Ｃ構成のメモリ・セルを採用
日経エレクトロニクス　第812号　2002.1.7

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掲載誌	日経エレクトロニクス　第812号（2002.1.7）
ページ数	1ページ　（全274字）
形式	PDFファイル形式　（75kb）
雑誌掲載位置	49ページ目

米Ｒａｍｔｒｏｎ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｒｐ．は，初めて「１トランジスタ＋１キャパシタ（１Ｔ１Ｃ）」構成のセルを採る，２５６Ｋビット強誘電体メモリ「ＦＭ２４Ｃ２５６−ＳＥ」を発売した。セル面積が従来の「２トランジスタ＋２キャパシタ」構成の半分となり，製造コスト削減に寄与した。最大１ＭＨｚ動作のバスに同期して読み出し／書き込みを行う。書き換え可能回数は無制限。電源電圧は＋５Ｖである。ラムト…