What’s New〜Intel社がゲート長15nm 2.63THz動作の素子を試作
日経エレクトロニクス 第810号 2001.12.3
掲載誌 | 日経エレクトロニクス 第810号(2001.12.3) |
---|---|
ページ数 | 1ページ (全1640字) |
形式 | PDFファイル形式 (65kb) |
雑誌掲載位置 | 31ページ目 |
また米Intel Corp.がトランジスタの微細化で世界記録を樹立した。ゲート長がわずか15nmのNMOSトランジスタを開発し,2001年12月3日〜5日まで米国ワシントンD.C.で開催される半導体製造技術の国際学会「2001 International Electron Devices Meeting(2001 IEDM)」で発表する(図1(a))。 Intel社は2000年12月にゲート長3…
記事の購入(ダウンロード)
購入には会員登録が必要です 会員登録はこちら
価格 330円(税込)
他のIDで購入する
G-Search ミッケ!は雑誌を記事ごとに販売するサービスです。
この記事は「1ページ(全1640字)」です。ご購入の前に記事の内容と文字数をお確かめください。
(注)特集のトビラ、タイトルページなど、図案が中心のページもございます。